SI9926DY
双N沟道,电流:6.5A,耐压:20V
- SMT扩展库
- 嘉立创SMT补贴
- PCB免费打样
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
SI9926DY商品编号
C3279833商品封装
SOIC-8包装方式
编带
商品毛重
0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V,6.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 700pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量(2500个/圆盘，最小起订量 1 个 )
个
起订量：1 个2500个/圆盘
近期成交0单
咨询客服
优惠券
芯媒体
建议反馈- 投诉意见
收起
