SI9424DY
P沟道 MOSFET,电流:8A,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SI9424DY
- 商品编号
- C3279832
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.26nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 205pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- -8.0 A,-20 V。在 VGS = -4.5 V 时,RDS(on) = 0.024 Ω
- 在 VGS = -2.5 V 时,RDS(on) = 0.032 Ω
- 低栅极电荷(典型值 23nC)。
- 快速开关速度。
- 高性能沟槽技术,实现极低的 RDS(ON)。
- 高功率和电流处理能力。
应用领域
- DC/DC 转换器
- 负载开关
- 电池保护