HUF76105SK8T
N沟道, 电流:5.5A, 耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUF76105SK8T
- 商品编号
- C3279820
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 325pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
这些专为2.5V设计的P沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可在最大程度降低导通电阻的同时，保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。 这些器件非常适合便携式电子应用，如负载开关、电源管理、电池充电和保护电路。
商品特性
- 逻辑电平栅极驱动
- 5.5A、30V
- 超低导通电阻,rDS(ON) = 0.050 Ω
- 仿真模型
- 温度补偿的PSPICE和SABER电气模型
- 可在网上获取SPICE和SABER热阻抗模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- UIS额定曲线
- 瞬态热阻抗曲线与电路板安装面积的关系
应用领域
-开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器-低压总线开关-便携式和电池供电产品的电源管理