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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RF1K49156

1个N沟道 耐压:30V 电流:6.3A

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
RF1K49156
商品编号
C3279818
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.215克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)6.3A
导通电阻(RDS(on))30mΩ@5V
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)65nC@10V
输入电容(Ciss)2.03nF
反向传输电容(Crss)105pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)625pF

商品概述

这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低漏源导通电阻和快速开关速度进行了优化。

商品特性

  • 6.3A,30V
  • rDS(ON) = 0.030 Ω
  • 温度补偿PSPICE®模型
  • 导通电阻与栅极驱动电压曲线
  • 峰值电流与脉冲宽度曲线
  • 非钳位感性开关(UIS)额定曲线

应用领域

-开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器-低压总线开关

数据手册PDF