AOSP21311C
1个P沟道 耐压:30V 电流:6A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOSP21311C
- 商品编号
- C3279805
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 720pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对“低端”同步整流器操作进行了优化，能在小封装内实现极低的RDS(ON)。
商品特性
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 5mΩ
- 21A、30V，在VGS = 10V时，RDS(ON) = 4mΩ
- 高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
- 快速开关
- FLMP SO-8封装：在行业标准封装尺寸下增强了热性能
应用领域
-笔记本电脑交流输入负载开关-电池充放电保护