IRF8707PBF
30V, 11A, 30V漏源电压
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF8707PBF
- 商品编号
- C3279766
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.35V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 760pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 82pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最大限度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 极低的栅极电荷
- 在4.5 V VGS下具有极低的RDS(on)
- 超低的栅极阻抗
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 最大栅极额定电压VGS为20V
- 100%测试Rg
- 无铅
应用领域
-用于笔记本处理器电源的同步降压转换器的控制MOSFET-网络系统中隔离式DC-DC转换器的控制MOSFET