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IRF7309TRPBF
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- 第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于各种应用。SO - 8通过定制的引线框架进行了改进，以增强热特性和多芯片能力，使其成为各种电源应用的理想选择
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7309TRPBF
- 商品编号
- C3279783
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 93pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
FDS7088SN3旨在取代同步DC-DC电源中的单个SO-8 FLMP MOSFET和肖特基二极管。这款30V MOSFET旨在最大限度地提高功率转换效率，提供低RDS(ON)和低栅极电荷。FDS7088SN3采用仙童半导体的单片SyncFET技术，集成了肖特基二极管。FDS7088SN3作为同步整流器中的低端开关，其性能接近与肖特基二极管并联的FDS7088N3的性能。
商品特性
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 4.9 mΩ
- 21 A、30 V，在VGS = 10 V时，RDS(ON) = 4.0 mΩ
- 高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
- 快速开关
- FLMP SO-8封装：在行业标准封装尺寸下增强了热性能
应用领域
- DC/DC转换器-电机驱动器