FDS6690
单通道N沟道逻辑电平PWM优化MOSFET,电流:10A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6690
- 商品编号
- C3279806
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.34nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
商品概述
这款N沟道逻辑电平MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。 与具有类似RDS(ON)规格的其他MOSFET相比,该MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 其结果是,这种MOSFET易于驱动且驱动更安全(即使在非常高的频率下),并且能够提高DC/DC电源设计的整体效率。
商品特性
- 在 VGS = 4.5 V 时,RDS(ON) = 0.0200 Ω
- 10 A、30 V。在 VGS = 10 V 时,RDS(ON) = 0.0135 Ω
- 针对使用PWM控制器的开关DC/DC转换器进行了优化。
- 开关速度极快。
- 栅极电荷低(Qg典型值 = 13 nC)。
- SOT - 23
- SuperSOT - 6
- SuperSOT - 8
- SO - 8
- SOT - 223
- SOIC - 16
应用领域
- DC/DC转换器
- 负载开关
- 电机驱动器