SI4420DYPBF
1个N沟道 耐压:30V 电流:12.5A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- SI4420DYPBF
- 商品编号
- C3279778
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.24nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.1nF |
商品概述
这款N沟道HEXFET功率MOSFET采用先进的HEXFET功率MOSFET技术制造。该技术固有的低导通电阻和低栅极电荷特性，使该器件非常适合低压或电池供电的功率转换应用。 采用铜引脚框架的SO-8封装具有出色的热性能，在典型的电路板安装应用中，功率耗散可超过800 mW。
商品特性
~~- 低导通电阻-低栅极电荷-表面贴装-逻辑电平驱动-无铅