IRF7807VPBF
N通道MOSFET,电流:8.3A,耐压:30V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7807VPBF
- 商品编号
- C3279762
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款新器件采用先进的HEXFET功率MOSFET技术,实现了导通电阻和栅极电荷前所未有的平衡。传导损耗和开关损耗的降低使其成为为新一代移动微处理器供电的高效DC-DC转换器的理想选择。 一对IRF7807V器件为3.3V和5V等系统电压提供了最佳的成本/性能解决方案。
商品特性
- 适用于移动DC-DC转换器
- 低传导损耗
- 低开关损耗
- 100%进行RG测试
- 无铅
应用领域
-移动PC-移动DC-DC转换器