FDS7064N7
30V N沟道MOSFET,电流:16.5A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS7064N7
- 商品编号
- C3279763
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.355nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 209pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 522pF |
商品特性
- 16.5 A、30 V,在VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 7.0 mΩ
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
- 快速开关
- FLMP SO - 8封装:在行业标准封装尺寸下增强了热性能
- 无底SO - 8封装
应用领域
- 同步整流器
- DC/DC转换器