IPC302N20NFDX1SA1
N沟道,电流:2.0A,耐压:200V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPC302N20NFDX1SA1
- 商品编号
- C3279665
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
N沟道增强型
- 动态特性请参考IPP120N20NFD的数据手册
- 根据失效目录,目视检查的合格质量水平(AQL)为0.65
- 依据MIL-STD 883C标准,属于静电放电敏感器件 芯片键合:焊接或胶粘 背面金属化:镍钒(NiV)体系
- 正面金属化:铝硅铜(AlSiCu)体系 钝化层:氮化物和聚酰亚胺(仅用于边缘结构)
应用领域
- 该器件非常适合用作负载开关