IRFHM8330TRPBF
MOSFET,电流:25A,耐压:30V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFHM8330TRPBF
- 商品编号
- C3279606
- 商品封装
- PQFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.35V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款高压N沟道功率MOSFET属于MDmesh DM2快速恢复二极管系列。它具有极低的恢复电荷（Qrr）和恢复时间（trr），同时导通电阻（RDS(on)）较低，适用于要求极高的高效转换器，是桥式拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器的理想选择。
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 极低的栅极电荷和输入电容
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 极高的dv/dt耐受能力
- 齐纳保护
应用领域
-笔记本电脑电池应用的充放电开关-系统/负载开关-同步降压转换器的控制MOSFET