IRFH5007TR2PBF
N沟道,电流:1006A,耐压:75V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFH5007TR2PBF
- 商品编号
- C3279608
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.29nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 510pF |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 极低的RDS - Qg品质因数（FOM）
- 针对最低的RDS - Qoss品质因数进行优化
- 100%进行Rg和UIS测试
- 顶部散热特性为热传递提供额外途径
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-副边同步整流-直流电机逆变器-直流-直流模块应用-升压转换器