UPA1890GR-9JG-E1-A
N沟道和P沟道 MOSFET,电流:6.0A,耐压:30V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPA1890GR-9JG-E1-A
- 商品编号
- C3279642
- 商品封装
- SOIC-8-175mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 64mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 748pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 107pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造。结合了硅技术和双散热（Dual Cool）封装技术的优势，在保持出色开关性能的同时，通过极低的结到环境热阻实现了最低的导通电阻（rDS(on)）。该器件还集成了高效的单片肖特基体二极管。
商品特性
- 双散热顶部散热PQFN封装
- 在VGS = 10 V、ID = 32 A时，最大导通电阻（rDS(on)） = 1.25 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 28 A时，最大导通电阻（rDS(on)） = 1.75 mΩ
- 采用高性能技术实现极低的导通电阻（rDS(on)）
- 同步场效应晶体管（SyncFET）肖特基体二极管
- 符合RoHS标准
应用领域
- “标准级”:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- “高品质级”:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备,以及非专门用于生命维持的医疗设备。