SI1443EDH-T1-BE3
P沟道,电流:4A,耐压:30V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1443EDH-T1-BE3
- 商品编号
- C3279687
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
采用铜引脚框架的新型双6引脚SC-70封装与现有的采用42合金引脚框架的3引脚和6引脚封装相比，可实现更低的导通电阻值和更高的热性能。这些器件适用于需要小型化封装的中小负载应用。该封装的器件有多种导通电阻值可供选择，包括N沟道和P沟道版本。
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品
- TrenchFET功率MOSFET
- 针对PWM进行优化
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 便携式设备的负载开关
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