AO7408
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 62mΩ@4.5V,2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 320pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高整体效率而设计，可最大程度减少使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的开关节点振铃。它针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和体二极管反向恢复性能进行了优化。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 14 A时，最大rDS(on) = 8 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 11 A时，最大rDS(on) = 13 mΩ
- 采用先进的封装和硅技术组合，实现低rDS(on)和高效率
- 下一代增强型体二极管技术，具备软恢复特性
- MSL1坚固封装设计
- 100%经过UIS测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 笔记本电脑的IMVP Vcore开关
- 台式机和服务器的VRM Vcore开关
- 或门FET/负载开关
- DC-DC转换