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NVJD5121NT1G-M06
N沟道,电流:295mA,耐压:60V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVJD5121NT1G-M06
- 商品编号
- C3279707
- 商品封装
- SC-88
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 295mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 900pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 26pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
应用领域
- 标准应用：计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质应用：运输设备（汽车、火车、轮船等）、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。