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MTI85W100GC-SMD
6个N沟道 耐压:100V 电流:120A
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- 描述
- 特性：MOSFETs采用沟槽技术。低导通电阻RDS(on)。优化的本征反向二极管。高集成度。高电流能力（最大300 A）。用于MOSFET控制的辅助端子。应用：汽车中的交流驱动器。电动助力转向
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- MTI85W100GC-SMD
- 商品编号
- C3279727
- 商品封装
- SMD-17P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 6个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 88nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 三相桥 |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET™ F7技术，其沟槽栅极结构经过优化，不仅能够显著降低导通电阻，还能减小内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- 采用沟槽技术的MOSFET
- 低 R\textDSon
- 优化的本征反向二极管
- 高集成度
- 高电流承载能力(最大300 A)
- 用于MOSFET控制的辅助端子
- 用于焊接连接的端子
- 具有优化热传递性能的隔离式DCB陶瓷基板
- 节省空间和重量
应用领域
-交流驱动器-汽车应用-电动助力转向系统-启动发电机-工业车辆应用-推进驱动器-叉车驱动器-电池供电设备应用