IRF7307QTRPBF
双通道N/P沟道MOSFET,电流:5.2A,耐压:20V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7307QTRPBF
- 商品编号
- C3279747
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品概述
这些采用双 SO-8 封装的 HEXFET 功率 MOSFET 采用最先进的处理技术,实现了每单位硅面积极低的导通电阻。这些 HEXFET 功率 MOSFET 的其他特性包括 150°C 的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些优势相结合,使该设计成为适用于各种应用的高效可靠器件。 高效的 SO-8 封装具有出色的热特性和双 MOSFET 芯片能力,使其非常适合各种功率应用。这种双表面贴装 SO-8 封装可显著节省电路板空间,也提供卷带包装。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 超低导通电阻
- 双 N 沟道和 P 沟道 MOSFET
- 表面贴装
- 提供卷带包装
- 150°C 工作温度
- 无铅
应用领域
- 笔记本处理器电源同步MOSFET-网络系统中隔离式DC-DC转换器的同步整流MOSFET-无铅