AUIRF9952QTR
双沟道MOSFET,电流:3.5A,耐压:30V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AUIRF9952QTR
- 商品编号
- C3279743
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 190pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品特性
- 先进的平面技术
- 低导通电阻
- 逻辑电平栅极驱动
- 双N沟道和P沟道MOSFET
- 动态dv/dt额定值
- 150°C工作温度
- 快速开关
- 全雪崩额定
- 允许在最高结温Tjmax下进行重复雪崩
- 无铅,符合RoHS标准
- 通过汽车级认证
应用领域
- 笔记本处理器电源控制场效应管
- 用于显卡以及网络和电信系统中负载点（POL）转换器的同步整流MOSFET