IRF7807ZPBF
N沟道,电流:11A,耐压:30V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7807ZPBF
- 商品编号
- C3279749
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.25V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 770pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 在VGS为4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)
- 超低栅极阻抗
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 100%测试栅极电阻RG
应用领域
- 笔记本处理器电源控制场效应管
- 用于显卡以及网络和电信系统中负载点(POL)转换器的同步整流MOSFET