MCB30P1200LB-TRR
4个N沟道 耐压:1.2kV
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- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- MCB30P1200LB-TRR
- 商品编号
- C3279735
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 半桥 |
商品概述
国际整流器公司（International Rectifier）推出的新型沟槽式HEXFET®功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的坚固器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于电池和负载管理应用。
商品特性
- 沟槽技术
- 超低导通电阻
- 提供卷带包装
- 无铅