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MCB30P1200LB-TRR引脚图
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  • 焊盘图

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MCB30P1200LB-TRR

4个N沟道 耐压:1.2kV

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品牌名称
Littelfuse/IXYS
商品型号
MCB30P1200LB-TRR
商品编号
C3279735
商品封装
SMPD-B​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量4个N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)38A
导通电阻(RDS(on))40mΩ@20V
阈值电压(Vgs(th))2.6V
栅极电荷量(Qg)115nC
属性参数值
输入电容(Ciss)1.895nF
反向传输电容(Crss)10pF
工作温度-55℃~+150℃
配置半桥
类型N沟道
输出电容(Coss)150pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

国际整流器公司(International Rectifier)推出的新型沟槽式HEXFET®功率MOSFET采用先进的加工技术,实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势,再结合HEXFET功率MOSFET闻名的坚固器件设计,为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件,可用于电池和负载管理应用。

商品特性

  • 低电容高速开关
  • 低导通电阻(RDS(on))、高阻断电压
  • 易于并联且驱动简单
  • 抗闩锁
  • 真正的开尔文源极连接

应用领域

-太阳能逆变器-高压直流-直流转换器-电机驱动器-开关模式电源-不间断电源(UPS)-电池充电器-感应加热

数据手册PDF