UPA1970TE-T1-AT
N-通道MOSFET,电流:1.0A,耐压:20V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPA1970TE-T1-AT
- 商品编号
- C3279717
- 商品封装
- SC-95-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 107mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 570mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.3nC@4V | |
| 输入电容(Ciss) | 160pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
采用铜引脚框架的新型单通道 6 引脚 SC-70 封装与现有的采用 Alloy 42 引脚框架的 3 引脚和 6 引脚封装相比，可实现更低的导通电阻值和更出色的热性能。这些器件适用于需要小型化封装的中小负载应用。该封装的器件具有多种导通电阻值，提供 N 沟道和 P 沟道版本。
商品特性
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 100% 进行 Rg 测试
- 典型 ESD 性能为 2000 V
- 内置齐纳二极管进行 ESD 保护
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
应用领域
- 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备以及工业机器人。
- 高品质应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。
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