IRF7241PBF
P沟道MOSFET,电流:-6.2A,耐压:-40V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7241PBF
- 商品编号
- C3279737
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.22nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
国际整流器公司(International Rectifier)推出的新型沟槽式HEXFET®功率MOSFET采用先进的加工技术,实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势,再结合HEXFET功率MOSFET闻名的坚固器件设计,为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件,可用于电池和负载管理应用。
商品特性
- 沟槽技术
- 超低导通电阻
- 提供卷带包装
- 无铅
应用领域
- 电池开关-负载开关-DC/DC转换器-镜头马达驱动器