IRF7241PBF
P沟道MOSFET,电流:-6.2A,耐压:-40V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7241PBF
- 商品编号
- C3279737
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.22nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
这款薄型大功率MOSFET采用安森美半导体的沟槽技术制造，该技术专门用于最小化栅极电荷和实现超低导通电阻。该器件适用于对栅极电荷驱动要求较低或对导通电阻要求超低的应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 高速开关
- 1.8V驱动
- 低电容
- 无铅、无卤且符合RoHS标准
- 超小型封装SCH6（1.6mm×1.6mm×0.56mmt）
应用领域
- 电池开关-负载开关-DC/DC转换器-镜头马达驱动器