2SK3576-T1B-AT
N-通道MOSFET,电流:2.0A,耐压:20V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK3576-T1B-AT
- 商品编号
- C3279720
- 商品封装
- SC-96-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品特性
- 复合型器件，在一个封装内集成了P沟道硅MOSFET和肖特基势垒二极管，便于高密度安装。
- 低导通电阻。
- 超高速开关。
- 1.8 V驱动。
- 短反向恢复时间。
- 低正向电压。
应用领域
-计算机-办公设备-通信设备-测试与测量设备-视听设备-家用电子电器-机床-个人电子设备-工业机器人-运输设备(汽车、火车、轮船等)-交通控制系统-防灾系统-防盗系统-安全设备-非专门用于生命支持的医疗设备
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