2SJ624-T1B-AT
P沟道MOSFET,电流:2.5A,耐压:20V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SJ624-T1B-AT
- 商品编号
- C3279718
- 商品封装
- SC-96-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 108mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 450mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.1nC@16V | |
| 输入电容(Ciss) | 813pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 69pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
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