2SJ559-T1-A
1个P沟道 耐压:30V 电流:100mA
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SJ559-T1-A
- 商品编号
- C3279701
- 商品封装
- SC-75-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60Ω@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 输入电容(Ciss) | 5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
商品概述
这些新型器件适用于小信号应用，此类应用需要小型化封装，且需直接或通过电平转换配置来切换低电流（约350 mA）。传统3引脚和新型6引脚版本均提供了一系列导通电阻规格。与3引脚封装相比，新型6引脚SC - 70封装可实现更低的导通电阻值和更优的热性能。
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 标准级:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质级:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。
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