NTA4015NT1G
N沟道 MOSFET,电流:238mA,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTA4015NT1G
- 商品编号
- C3279700
- 商品封装
- SC-75(SOT-416)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 238mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@100uA | |
| 输入电容(Ciss) | 20pF@5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些全新的Vishay Siliconix器件适用于小信号应用，这类应用需要小型化封装，并且需要直接或通过电平转换配置来切换低电流（约250 mA）。Vishay为这些器件提供了一系列不同导通电阻规格的6引脚版本。全新的6引脚SC - 70封装可改善导通电阻值并增强热性能。
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET：额定电压2.5 V
- 100%进行Rg测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
- N沟道MOSFET
- 提供N沟道MOSFET
应用领域
- 小信号应用