SI1411DH-T1-BE3
P沟道 MOSFET,电流:0.52A,耐压:150V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1411DH-T1-BE3
- 商品编号
- C3279691
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 520mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7Ω@6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 810mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@100uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.3nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
~~- 薄型、节省空间封装-低导通电阻-快速开关时间-低栅极电荷-雪崩额定-符合RoHS标准(豁免条款7a)-符合REACH法规、无冲突矿物-扁平、节省空间封装-低导通电阻-快速开关时间-低栅极电荷-雪崩特性-符合RoHS标准(豁免条款7a)-符合REACH法规、无冲突矿物
应用领域
- 直流-直流转换器-电源-直流驱动器-电动工具-同步整流器-直流转换器-电源供应器-直流驱动器-电动工具-同步整流器
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