SI1965DH-T1-BE3
2个P沟道 耐压:12V 电流:1.3A 电流:1.14A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1965DH-T1-BE3
- 商品编号
- C3279693
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.14A；1.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 710mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.2nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 120pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 41pF |
商品概述
全新的双6引脚SC-70封装采用铜引脚框架，与现有的采用合金42引脚框架的3引脚和6引脚封装相比，可改善导通电阻值并增强热性能。这些器件适用于需要小型化封装的中小负载应用。采用此封装的器件有多种导通电阻值可选，包括N沟道和P沟道版本。
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- TrenchFET功率MOSFET
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 中小负载应用
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