SI1965DH-T1-BE3
2个P沟道 耐压:12V 电流:1.3A 电流:1.14A
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- 品牌名称VISHAY(威世)
商品型号
SI1965DH-T1-BE3商品编号
C3279693商品封装
SC-70-6包装方式
编带
商品毛重
1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.14A；1.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 390mΩ@1A,4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 1.25W；740mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 4.2nC@8V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 120pF@6V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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