SI1902DL-T1-BE3
双N沟道,电流:0.7A,耐压:20V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1902DL-T1-BE3
- 商品编号
- C3279689
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 630mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 270mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET:额定电压2.5 V
- 100%进行Rg测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
- N沟道MOSFET
- 提供N沟道MOSFET
应用领域
-小信号应用
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