SI1902DL-T1-BE3
双N沟道,电流:0.7A,耐压:20V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1902DL-T1-BE3
- 商品编号
- C3279689
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 630mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 270mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
应用领域
- 标准级应用：
- 计算机
- 办公设备
- 通信设备
- 测试和测量设备
- 视听设备
- 家用电子电器
- 机床
- 个人电子设备
- 工业机器人
- 高品质级应用：
- 运输设备（汽车、火车、轮船等）
- 交通控制系统
- 防灾系统
- 防盗系统
- 安全设备
- 非专门用于生命支持的医疗设备
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