SI1416EDH-T1-BE3
N沟道,电流:3.9A,耐压:30V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1416EDH-T1-BE3
- 商品编号
- C3279685
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 77mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
采用铜引脚框架的新型双6引脚SC-70封装与现有的采用42号合金引脚框架的3引脚和6引脚封装相比，可改善导通电阻值并增强热性能。这些器件适用于需要小型化封装的中小负载应用。该封装的器件具有多种导通电阻值，有N沟道和P沟道版本。
商品特性
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 典型人体模型(HBM)静电放电保护 1500 V
- 100%进行 Rg 测试
- 符合 RoHS 标准
- 无卤
应用领域
- 智能手机和平板电脑等便携式设备
- DC/DC 转换器
- 高频开关
- 过压保护(OVP)开关
- 负载开关
相似推荐
其他推荐
- SI1427EDH-T1-BE3
- SI1443EDH-T1-BE3
- SI1922EDH-T1-BE3
- SI1902DL-T1-BE3
- SI1411DH-T1-BE3
- SI1902CDL-T1-BE3
- SI1965DH-T1-BE3
- SI4488DY-T1-GE3
- SQ4435EY-T1_BE3
- SQ4470EY-T1_BE3
- SI4490DY-T1-GE3
- SI9926CDY-T1-E3
- SQ4284EY-T1_BE3
- SI4386DY-T1-GE3
- SQ4410EY-T1_BE3
- SI4835DDY-T1-E3
- SI4100DY-T1-GE3
- SI4864DY-T1-GE3
- SI4922BDY-T1-E3
- SI4153DY-T1-GE3
- SQ4470EY-T1_GE3