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SI1926DL-T1-BE3
2个N沟道 耐压:60V 电流:0.37A
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- 描述
- 这些全新的威世（Vishay）Siliconix 器件适用于小信号应用，此类应用需要小型化封装，且需要直接或通过电平转换配置来切换低电流（约 250 mA）。威世为这些器件提供了一系列 6 引脚版本的导通电阻规格。全新的 6 引脚 SC - 70 封装可实现更低的导通电阻值，并提升热性能
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1926DL-T1-BE3
- 商品编号
- C3279684
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 370mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 18.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AO7414采用先进的沟槽技术，在小型SOT - 323封装下，可实现出色的 RDS(on) 、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。它可用于多种应用，包括负载开关、小电流逆变器和小电流DC - DC转换器。
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rg测试
- ESD保护:1800 V
应用领域
-低功耗负载开关
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