IPC022N03L3X1SA1
N沟道,电流:2.0A,耐压:30V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPC022N03L3X1SA1
- 商品编号
- C3279664
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FDMS8670AS旨在最大限度地减少电源转换应用中的损耗。结合了硅和封装技术的先进成果，在保持出色开关性能的同时，实现了最低的导通电阻rDS(on)。该器件还具备高效单片肖特基体二极管的优势。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 23 A时，最大导通电阻rDS(on) = 3.0 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 18 A时，最大导通电阻rDS(on) = 4.7 mΩ
- 先进的封装与硅技术结合，实现低导通电阻rDS(on)和高效率
- 同步场效应晶体管肖特基体二极管
- MSL1坚固封装设计
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器的同步整流器
- 笔记本电脑Vcore/ GPU低端开关
- 网络负载点低端开关
- 电信次级侧整流