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SI1442DH-T1-BE3实物图
  • SI1442DH-T1-BE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SI1442DH-T1-BE3

N沟道,电流:4A,耐压:12V

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI1442DH-T1-BE3
商品编号
C3279683
商品封装
SC-70-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)12V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))30mΩ@1.8V
耗散功率(Pd)2.8W
阈值电压(Vgs(th))1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)13.1nC
输入电容(Ciss)1.01nF
反向传输电容(Crss)33pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)323pF

商品概述

这些新器件适用于需要小型化封装且需切换低电流(约350mA)的小信号应用,可直接切换,也可使用电平转换配置进行切换。Vishay提供的这些单器件具有一系列导通电阻规格,有传统的3引脚和新型的6引脚两种版本。与3引脚封装相比,新型6引脚SC - 70封装可实现更低的导通电阻值和更好的热性能。

商品特性

  • 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
  • 100%进行栅极电阻(Rg)测试
  • 符合RoHS标准
  • 无卤

应用领域

  • 便携式设备的负载开关和电池开关
  • DC/DC转换器

数据手册PDF