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NTS4101PT1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:1.37A
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- 描述
- 特性：领先的。20 V沟槽，实现低导通电阻RDS(on)。2.5 V额定电压，适用于低电压栅极驱动。SC-70表面贴装，占用空间小（2x2 mm）。提供无铅封装。应用：高端负载开关。充电电路
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTS4101PT1G
- 商品编号
- C3279675
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.37A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 329mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 840pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 125pF |
商品概述
- N沟道增强型
- 依据失效目录，外观检验的合格质量水平（AQL）为0.65
- 符合MIL-STD 883C标准的静电放电敏感器件
- 芯片键合：焊接或胶粘
- 在箔片上切割
- 背面金属化：镍钒（NiV）体系
- 正面金属化：铝铜（AlCu）体系
- 钝化层：氮化物 + 酰亚胺
- 功率MOS晶体管芯片