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NE3517S03-T1C-A
NE3517S03-T1C-A
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NE3517S03-T1C-A
- 商品编号
- C3279663
- 商品封装
- SMD-4P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 4V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 165mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造。结合了硅技术和双散热（Dual Cool）封装技术的优势，在保持出色开关性能的同时，实现了极低的导通电阻rDS(on)，且具有极低的结到环境热阻。该器件还集成了高效的单片肖特基体二极管。
商品特性
- 双散热（Dual Cool）顶部散热PQFN封装
- VGS = 10 V、ID = 23 A时，最大rDS(on) = 2.9 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 18 A时，最大rDS(on) = 4.2 mΩ
- 高性能技术实现极低的rDS(on)
- 同步场效应管（SyncFET）肖特基体二极管
- 符合RoHS标准
应用领域
- 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备以及工业机器人。
- 高品质应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命维持的医疗设备。
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