IRFHM8337TRPBF-IR
N沟道,电流:180A,耐压:30V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFHM8337TRPBF-IR
- 商品编号
- C3279633
- 商品封装
- PQFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.35V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 755pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 83pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 171pF |
商品概述
全新的MDmesh M6技术融合了近期对知名且成熟的MDmesh超结（SJ）MOSFET系列的改进成果。它将出色的单位面积导通电阻RDS(on)改善效果与高效的开关性能相结合，为用户带来便捷体验，实现终端应用的最高效率。
商品特性
- 降低开关损耗
- 与上一代产品相比，单位面积导通电阻RDS(on)更低
- 栅极输入电阻低
- 100%经过雪崩测试
- 齐纳二极管保护
应用领域
-系统/负载开关-电池保护用充放电开关