IRFHM8342TRPBF
N沟道,电流:20A,耐压:30V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFHM8342TRPBF
- 商品编号
- C3279632
- 商品封装
- PQFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.35V@25uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 560pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 102pF |
商品特性
- 在VGS为4.5 V时，RDS(ON)极低
- 栅极电荷低
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- RG进行100%测试
- 无铅（可承受高达260°C回流焊）
- 符合RoHS标准（无卤）
- 热阻低
- 源极引脚宽大，焊接更可靠
应用领域
- 用于网络和计算系统应用的高频负载点同步降压转换器
- 针对控制FET应用进行优化