FDMS8662
N沟道,电流:49A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS8662
- 商品编号
- C3279611
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 159A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.42nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 435pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.145nF |
商品概述
FDMS8674专为最大限度减少电源转换应用中的损耗而设计。该产品结合了先进的硅技术和封装技术，在保持出色开关性能的同时，实现了极低的漏源导通电阻（rDS(on)）。
商品特性
- 栅源电压（VGS）= 10 V，漏极电流（ID）= 17 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)）= 5.0 mΩ
- 栅源电压（VGS）= 4.5 V，漏极电流（ID）= 14 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)）= 8.0 mΩ
- 采用先进的封装和硅技术组合，实现低漏源导通电阻（rDS(on)）和高效率
- 采用MSL1坚固封装设计
- 符合RoHS标准
应用领域
- 计算VR和IMVP Vcore
- 副边同步整流器
- 负载点（POL）DC/DC转换器
- 或门FET/负载开关