FDMS8558SDC
N沟道,电流:90A,耐压:25V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS8558SDC
- 商品编号
- C3279616
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.118nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 195pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.508nF |
商品概述
FDMS8848NZ旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗。结合了硅和封装技术的进步，在保持出色开关性能的同时，实现了最低的导通电阻（rDS(on)）。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 22.8 A时，最大导通电阻（rDS(on)） = 3.1 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 17.5 A时，最大导通电阻（rDS(on)） = 5.1 mΩ
- 先进的封装与硅技术结合，实现低导通电阻（rDS(on)）和高效率
- 具备MSL1的稳健封装设计
- 符合RoHS标准
应用领域
- 计算机电压调节器（VR）和英特尔移动电压定位（IMVP）内核电压
- 次级侧同步整流器
- 负载点（POL）直流-直流转换器
- 或门场效应晶体管（FET）/负载开关