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NTMFS010N10GTWG
N沟道,电流:83A,耐压:100V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS010N10GTWG
- 商品编号
- C3279621
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 83A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.95nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 430pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造。结合了硅技术和双散热（Dual Cool）封装技术的优势，在极低的结到环境热阻下，既能实现极低的导通电阻rDS(on)，又能保持出色的开关性能。该器件还集成了高效的单片肖特基体二极管。
商品特性
- 宽安全工作区,适用于线性模式操作
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 高峰值非钳位感性开关(UIS)电流能力,增强耐用性
- 小尺寸封装(5x6 mm),便于紧凑设计
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准
应用领域
- 48 V热插拔系统
- 负载开关
- 软启动
- 电子保险丝