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NTMFS010N10GTWG
N沟道,电流:83A,耐压:100V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS010N10GTWG
- 商品编号
- C3279621
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 83A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@164uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.95nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 430pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造。结合了硅技术和双散热（Dual Cool）封装技术的优势，在极低的结到环境热阻下，既能实现极低的导通电阻rDS(on)，又能保持出色的开关性能。该器件还集成了高效的单片肖特基体二极管。
商品特性
- 双散热（Dual Cool）顶部散热PQFN封装
- VGS = 10 V、ID = 28 A时，最大rDS(on) = 2.6 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 22 A时，最大rDS(on) = 3.3 mΩ
- 高性能技术实现极低的rDS(on)
- 同步场效应晶体管（SyncFET）肖特基体二极管
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器同步整流-电信次级侧整流-高端服务器/工作站Vcore低端应用