FDWS9420-F085
N沟道,电流:20A,耐压:40V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDWS9420-F085
- 商品编号
- C3279628
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 710pF |
商品概述
全新的MDmesh™ M6技术融合了最新的先进成果，应用于广为人知且成熟的SJ MOSFET MDmesh系列产品。 意法半导体（STMicroelectronics）凭借其全新的M6技术，在MDmesh上一代产品的基础上进行升级。该技术不仅显著提升了单位面积的导通状态漏源电阻（RDS(on)），还具备出色的开关性能，同时为用户带来便捷体验，实现终端应用的最高效率。
商品特性
- 在 VGS = 10V、ID = 20A 条件下,典型 RDS(on) = 5.0 , mΩ
- 在 VGS = 10 , \textV、ID = 20 , \textA 条件下,典型 Qg(\texttot) = 29 , \textnC
- 具备单脉冲雪崩耐量
- 符合 RoHS 标准
- 通过 AEC Q101 认证
- 可焊侧翼,适用于自动光学检测(AOI)
应用领域
- 汽车发动机控制
- 动力系统管理
- 电磁阀和电机驱动器
- 电子转向系统
- 集成式启动发电机
- 分布式电源架构和电压调节模块
- 12V 系统主开关