IRFH5255TRPBF
N沟道,电流:51A,耐压:25V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFH5255TRPBF
- 商品编号
- C3279599
- 商品封装
- PQFN(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 51A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 26W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.35V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 988pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 127pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟道型场效应晶体管第四代功率MOSFET
- 漏源击穿电压45 V
- 针对低栅极电荷（Qg）和输出电容电荷（Qoss）进行优化
- 100%进行浪涌电流（Rq）和非钳位感性开关（UIS）测试
应用领域
- 同步整流
- 高功率密度直流-直流转换
- 电机驱动控制