BLM9D1822-30BZ
BLM9D1822-30BZ
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- 品牌名称
- Ampleon(安谱隆)
- 商品型号
- BLM9D1822-30BZ
- 商品编号
- C3279601
- 商品封装
- PQFN-20(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF放大器 | |
| 频率 | 1.8GHz~2.2GHz | |
| 增益 | 29.3dB | |
| 噪声系数 | - | |
| 工作电压 | 28V | |
| 工作电流 | 107mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| P1dB | 45.1dBm | |
| 工作温度 | - | |
| 输入回波损耗 | -10dB | |
| 输出回波损耗 | - | |
| IP3 | - | |
| 功能特性 | - |
商品概述
BLM9D1822-30B是一款采用Ampleon先进GEN9 LDMOS技术的两级全集成多赫蒂MMIC解决方案。该器件在单封装内集成了载波和峰值器件、输入分配器以及输出合成器。这款多频段器件非常适合在1800 MHz至2200 MHz频率范围内用作通用驱动放大器或小基站末级放大器。采用PQFN封装外形。典型射频性能条件为T_case = 25 ℃; I_Dq = 107 mA(载波和峰值)。测试信号:单载波LTE 20 MHz;PAR = 7.6 dB;在Ampleon f = 1990 MHz集成多赫蒂应用电路中测得。
商品特性
- 集成输入分配器
- 集成输出合成器
- 高效率
- 专为宽带操作而设计(频率1800 MHz至2200 MHz)
- 载波和峰值偏置独立控制
- 集成ESD保护
- 优异的热稳定性
- 源阻抗50 Ω;高功率增益
应用领域
- 多载波多标准GSM、W-CDMA和LTE基站

