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STL210N4LF7AG
汽车级N沟道40V, 120A, 1.6mΩ
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- 描述
- 汽车级N沟道40 V、1.3 mOhm典型值、120 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL210N4LF7AG
- 商品编号
- C3279592
- 商品封装
- PowerVDFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.54克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.21nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款HEXFET功率MOSFET专为汽车应用而设计，采用最新的加工技术，实现了极低的单位硅面积导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该产品成为汽车及其他各种应用中极为高效可靠的器件。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 市场上导通电阻最低的产品之一
- 出色的品质因数(FoM)
- 低Crss / Ciss比,具备抗电磁干扰能力
- 高雪崩耐量
- 可焊侧翼封装
应用领域
- 开关应用