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STL52N60DM6
1个N沟道 耐压:600V 电流:45A
- 描述
- N 沟道 600 V、72 mOhm（典型值）、45 A MDmesh DM6 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 8x8 HV 封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL52N60DM6
- 商品编号
- C3279590
- 商品封装
- PowerVDFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 84mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 174W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.468nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.47pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 178pF |
交货周期
订货10-14个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 3000 个)个
起订量：3000 个3000个/圆盘
总价金额：
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