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STL52N60DM6
1个N沟道 耐压:600V 电流:45A
- 描述
- N 沟道 600 V、72 mOhm（典型值）、45 A MDmesh DM6 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 8x8 HV 封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL52N60DM6
- 商品编号
- C3279590
- 商品封装
- PowerVDFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 84mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 174W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.75V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.468nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.47pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 178pF |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，并保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 与上一代产品相比,单位面积导通电阻 (RDS(on)) 更低
- 栅极电荷、输入电容和电阻低
- 经过 100% 雪崩测试
- 具备极高的 dv/dt 耐受能力
- 齐纳保护
- 借助额外的驱动源引脚,实现出色的开关性能
应用领域
-开关应用