SIDR220DP-T1-GE3
N沟道,电流:100A,耐压:25V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIDR220DP-T1-GE3
- 商品编号
- C3279575
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8DC
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.82mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.85nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 134pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 优化的Qg、Qgd和Qgd/Qgs比,可降低开关相关的功率损耗
- 顶部散热功能为热传递提供了额外途径
- 经过100% Rq和UIS测试
应用领域
-同步整流-高功率密度DC/DC-同步降压转换器-或门操作-负载开关-电池管理
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