FDMS3008SDC
N沟道 MOSFET,电流:65A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS3008SDC
- 商品编号
- C3279583
- 商品封装
- PowerTDFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.52nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.485nF |
商品概述
这款N沟道SyncFET™采用先进的PowerTrench工艺制造。硅和封装技术的进步相结合，在保持出色开关性能的同时，通过极低的结到环境热阻实现了最低的rDS(on)。该器件还具备高效单片肖特基体二极管的优势。
商品特性
- 双散热(Dual Cool)顶部散热PQFN封装
- VGS = 10 V、ID = 28 A时,最大rDS(on) = 2.6 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 22 A时,最大rDS(on) = 3.3 mΩ
- 高性能技术实现极低的rDS(on)
- 同步场效应晶体管(SyncFET)肖特基体二极管
- 符合RoHS标准
应用领域
-DC/DC转换器同步整流-电信次级侧整流-高端服务器/工作站Vcore低端应用